Объект: obj_IdealIGBT

Библиотека: Electronics

Имя на уровне решателя: Electronics.obj_IdealIGBT

Аннотация: Идеальный биполярный транзистор с изолированным затвором

Обозначение: Идеальный биполярный транзистор с изолированным затвором

Порты (степени свободы) компонента:

Обозначение порта

Тип

Наименование порта

1

Port1

base.DOF1

Электрический порт 1 затвора транзистора

2

Port2

base.DOF1

Электрический порт 2 коллектора транзистора

3

Port3

base.DOF1

Электрический порт 3 эммитера транзистора

Пользовательские параметры модели

Параметр

Тип

Описание

Значение по умолч.

1

Off_state_conductance

base.real

Проводимость коллектор-эмиттер в выключенном состоянии, 1/Ом

1e-5

2

On_state_resistance

base.real

Сопротивление коллектор-эмиттер во включенном состоянии, Ом

0.001

3

Vf

base.real

Прямое напряжение, В

0.8

4

Vth

base.real

Пороговое напряжение, В

6