Модель: VD

Библиотека: Electronics

Имя на уровне решателя: VD

Аннотация: Диод

Обозначение: 

**Порты (степени свободы) компонента:**
№	Обозначение порта	Тип	Наименование порта
1	Port1	base.DOF1	Электрический порт 1 анода диода
2	Port2	base.DOF1	Электрический порт 2 катода диода

**Пользовательские параметры модели**
№	Параметр	Тип	Описание	Значение по умолч.
1	A	base.real	Коэффициент A = V / FT	100
2	Cb0	base.real	Начальная барьерная емкость p - n перехода, Ф	1e-12
3	I0	base.real	Ток насыщения пробоя, А	1e-2
4	IS	base.real	Ток насыщения, А	1e-2
5	T	base.real	Величина постоянной T	1e-9
6	Up	base.real	Напряжение пробоя, В	100



Результаты тестирования

Глава 1. Заданные параметры теста

Таблица 1. Заданные параметры тестирования
Название тестируемого компонента	VD
Модуль тестируемого компонента	Electronics
Дата тестирования	Tue Mar 3 19:27:24 2026
Результат	OK

Глава 2. Схема тестируемого объекта

Описание компонента

Диод — это электронный компонент, который пропускает электрический ток только в одном направлении. Он состоит из двух основных частей: анода и катода.

Основное применение:

Выпрямление переменного тока
Защита от переполюсовки
Преобразование высокочастотных сигналов

Параметры диода

Характеристики модели диода
Параметр	Значение	Описание
\(I_s\)	\(1 \times 10^{-2}\) А	Ток насыщения (максимальный обратный ток)
\(T\)	\(1 \times 10^{-9}\) с	Постоянная времени
\(U_p\)	100 В	Напряжение пробоя
\(C_{b0}\)	\(1 \times 10^{-12}\) Ф	Начальная барьерная ёмкость
\(I_0\)	\(1 \times 10^{-2}\) А	Ток насыщения пробоя
\(A\)	100	Коэффициент \(A = V/FT\)

Режим работы

Так как диод включен во встречном направлении (обратное смещение), его сопротивление близко к бесконечности. Следовательно, ток в цепи практически равен нулю.

Исходные данные

Параметры элементов схемы
Элемент	Параметр	Значение	Описание
E1	\(E\)	1 В	Напряжение источника питания
r1	\(R\)	1 Ом	Внутреннее сопротивление источника
VD1	\(I_s\)	\(1 \times 10^{-2}\) А	Ток насыщения диода
VD1	\(T\)	\(1 \times 10^{-9}\) с	Постоянная времени
VD1	\(U_p\)	100 В	Напряжение пробоя
VD1	\(C_{b0}\)	\(1 \times 10^{-12}\) Ф	Начальная барьерная ёмкость
VD1	\(I_0\)	\(1 \times 10^{-2}\) А	Ток насыщения пробоя
VD1	\(A\)	100	Коэффициент \(A = V/FT\)

Результат моделирования

При обратном включении диода ток в цепи составляет:

\[I = \frac{E}{R_{диод} + r_1} \approx 0 \text{ А}\]

где \(R_{диод} \to \infty\) при обратном смещении.

Схема теста

Рисунок 1 – Схема тестирования диода VD в обратном включении

Глава 3. Графики результатов теста

../../../../_images/Electronics_model_VD_test.RUN.png — Рисунок 2 - Electronics_model_VD_test.RUN

../../../../_images/Electronics_model_VD_test.Check1.png — Рисунок 3 - Electronics_model_VD_test.Check1